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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.13 |
10+ | $1.01 |
100+ | $0.7878 |
500+ | $0.6508 |
1000+ | $0.5138 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Vgs (Max) | +10V, -8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-VSONP (5x6) |
Serie | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 20A, 8V |
Verlustleistung (max) | 3W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 12.5 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | CSD16342 |
CSD16342Q5A Einzelheiten PDF [English] | CSD16342Q5A PDF - EN.pdf |
TI DFN33
MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
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MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
TI SON5X6
TI QFN
CSD16404 TI
EVAL MODULE FOR MOSFETS/TPS40304
TI QFN8
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
TI SON-8
MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
2024/06/21
2024/12/17
2024/04/14
2023/12/20
CSD16342Q5A |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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